Back Magnetoresistive Random Access Memory German Magnetoresistive RAM English MRAM Spanish MRAM Estonian MRAM Finnish Magnetic Random Access Memory French MRAM ID Magnetoresistive Random Access Memory Italian 磁気抵抗メモリ Japanese 자기 저항 메모리 Korean

MRAM

Fig.1 Estructura MRAM

La MRAM (RAM magnetorresistiva)[1] és un tipus de memòria no volàtil desenvolupada des dels anys 90. El desenvolupament de la tecnologia existent, principalment Memòria flaix i DRAM han evitat la generalització del seu ús, encara que els seus defensors creuen que els seus avantatges són tan evidents que abans o després arribarà a un ús molt elevat.[2]

  1. ↑ J. Singh, S. Min, U. Chand, T.Tseng, "Overview of emerging nonvolatile memory technologies", (25 September 2014), doi:http://dx.doi.org/10.1186%2F1556-276X-9-526
  2. ↑ Johan Åkerman, "Toward a Universal Memory", Science, Vol. 308. no. 5721 (22 April 2005), pp. 508 – 510, doi:10.1126/science.1110549

Developed by StudentB